Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
محصولات مرتبط
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P
DMP2035UVTQ-7ماسفت
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # DMP2035UVTQ-7 Package SOT-23-6 Description null 7.2A 35mΩ@4A,4.5V 2W P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
NGTB40N120FL3W ای جی بی تی
Manufacturer ON Mfr. Part # NGTB40N120FL3W Package TO-247 Description IGBT – Ultra Field Stop
ترانزیستور Bipolar Transistors TTA1943
Bipolar Transistors – BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
FQT7N10LTFماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # FQT7N10LTF Package SOT-223-4 Description 100V 1.7A 2W 350mΩ@10V,850mA N Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS
2SA1987 ترانزیستور
Manufacturer : SPTECH Mfr. Part # 2SA1987 Package : TO-3PL Description : TO-3PL Bipolar Transistors – BJT ROHS
HUF75542P3
N-Channel 80 V 0.01 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet – TO-220AB
ای جی بی تی NGTB40N120FL3
این ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) دارای ویژگی های قوی و مقرون به صرفه ساخت و ساز فوق العاده میدان
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.