|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA 20MHz 1.35 W Surface Mount SOT-223
|
توضیحات
دانلود دیتاشیت
موردی برای نمایش یافت نشد!
محصولات مرتبط
FMMT458TA ترانزیستور
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # FMMT458TA Package SOT-23 Description 400V 500mW 100@50mA,10V 225mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors – BJT
IXFH6N120P ماسفت
Manufacturer IXYS Mfr. Part # IXFH6N120P Package TO-247-3 Description MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
NTD25P03LT4G ماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # NTD25P03LT4G Package TO-252 Description 30V 25A 80mΩ@5V,25A 75W P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
ای جی بی تی NGTB40N120FL3
این ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) دارای ویژگی های قوی و مقرون به صرفه ساخت و ساز فوق العاده میدان
FQT7N10LTFماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # FQT7N10LTF Package SOT-223-4 Description 100V 1.7A 2W 350mΩ@10V,850mA N Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS
2SC2383 ترانزیستور
Manufacturer Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Mfr. Part # 2SC2383 Package TO-92L-3 Description 160V 750mW 160@200mA,5V 1A NPN TO-92L-3
DMP2035UVTQ-7ماسفت
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # DMP2035UVTQ-7 Package SOT-23-6 Description null 7.2A 35mΩ@4A,4.5V 2W P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.