|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA 20MHz 1.35 W Surface Mount SOT-223
|
توضیحات
دانلود دیتاشیت
موردی برای نمایش یافت نشد!
محصولات مرتبط
FZT758TAترانزیستور
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # FZT758TA Package SOT-223 Description 400V 2W 40@200mA,10V 500mA PNP SOT-223 Bipolar Transistors – BJT
FQA28P15 ماسفت
Manufacturer FAIRCHILD Mfr. Part # FQA28P15 Package TO-3PN Description P-Channel QFET® MOSFET 150 V, 33 A, 90 mΩ
NGTB40N120FL3W ای جی بی تی
Manufacturer ON Mfr. Part # NGTB40N120FL3W Package TO-247 Description IGBT – Ultra Field Stop
NTD25P03LT4G ماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # NTD25P03LT4G Package TO-252 Description 30V 25A 80mΩ@5V,25A 75W P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
ترانزیستور Bipolar Transistors TTA1943
Bipolar Transistors – BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
S9014 ترانزیستور
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P
IGBT FGA40N65SMD
با استفاده از فناوری جدید توقف میدانی IGBT، سری جدید IGBTهای توقف میدانی نسل 2 Fairchild عملکرد بهینه را برای
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.