توضیحات
این ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) دارای ویژگی های قوی و مقرون به صرفه ساخت و ساز فوق العاده میدان توقف ترانچ، و فراهم می کند عملکرد برتر در برنامه های کاربردی سوئیچینگ خواستار، ارائه هم ولتاژ کم روشن و هم حداقل تلفات سوئیچینگ. IGBT است به خوبی برای UPS و کاربردهای خورشیدی مناسب است. به دستگاه تعبیه شده است یک دیود چرخدار آزاد نرم و سریع با بسته بندی مشترک با جلو کم است ولتاژ.
دانلود دیتاشیت
موردی برای نمایش یافت نشد!
نظرات (0)
اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ای جی بی تی NGTB40N120FL3” لغو پاسخ
محصولات مرتبط
FQA28P15 ماسفت
2SA1987 ترانزیستور
SI2301CDS-T1-E3 ماسفت
RGT16NS65DGTLترانزیستور
FZT758TAترانزیستور
DMP2035UVTQ-7ماسفت
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.