محصولات مرتبط
ای جی بی تی NGTB40N120FL3
این ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) دارای ویژگی های قوی و مقرون به صرفه ساخت و ساز فوق العاده میدان
S9014 ترانزیستور
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P
NGTB40N120FL3W ای جی بی تی
Manufacturer ON Mfr. Part # NGTB40N120FL3W Package TO-247 Description IGBT – Ultra Field Stop
IXFH6N120P ماسفت
Manufacturer IXYS Mfr. Part # IXFH6N120P Package TO-247-3 Description MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
ترانزیستورPZTA44
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA 20MHz 1.35 W Surface Mount SOT-223
DMP2035UVTQ-7ماسفت
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # DMP2035UVTQ-7 Package SOT-23-6 Description null 7.2A 35mΩ@4A,4.5V 2W P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
RGT16NS65DGTLترانزیستور
Manufacturer ROHM Semiconductor Mfr. Part # RGT16NS65DGTL Package SMD/SMT Description IGBT Transistors 650V 8A IGBT Stop Trench
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.