دانلود دیتاشیت
موردی برای نمایش یافت نشد!
محصولات مرتبط
ای جی بی تی NGTB40N120FL3
این ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) دارای ویژگی های قوی و مقرون به صرفه ساخت و ساز فوق العاده میدان
FQT7N10LTFماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # FQT7N10LTF Package SOT-223-4 Description 100V 1.7A 2W 350mΩ@10V,850mA N Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS
NTD25P03LT4G ماسفت
Manufacturer onsemi Mfr. Part # NTD25P03LT4G Package TO-252 Description 30V 25A 80mΩ@5V,25A 75W P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
FZT758TAترانزیستور
Manufacturer Diodes Incorporated Mfr. Part # FZT758TA Package SOT-223 Description 400V 2W 40@200mA,10V 500mA PNP SOT-223 Bipolar Transistors – BJT
IXFH6N120P ماسفت
Manufacturer IXYS Mfr. Part # IXFH6N120P Package TO-247-3 Description MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
ترانزیستور 2SA1941 Bipolar Transistor
- Type: PNP
- Collector-Emitter Voltage, max: -140 V
- Collector-Base Voltage, max: -140 V
- Emitter-Base Voltage, max: -5 V
- Collector Current − Continuous, max: -10 A
- Collector Dissipation: 100 W
- DC Current Gain (hfe): 55 to 160
- Transition Frequency, min: 30 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range: -55 to +150 °C
- Package: TO-3P

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.